特許
J-GLOBAL ID：200903080319117848
ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその作製方法並びに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-191622
公開番号（公開出願番号）：特開平7-020624
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】光透過領域のパターンサイズの各々に対して最大の焦点深度を得ることができるハーフトーン方式位相シフトマスクを提供する。【構成】ハーフトーン方式位相シフトマスクは、所定のパターンサイズを有する光透過領域12における焦点深度が最大となるように、光透過領域12近傍の半遮光領域14の振幅透過率が設定されている。あるいは又、光透過領域12のパターンサイズが大きくなるに従い、光透過領域12近傍の半遮光領域14の振幅透過率を大きくする。
請求項（抜粋）：
半遮光領域及び光透過領域を備え、該半遮光領域を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相とが異なるハーフトーン方式位相シフトマスクであって、所定のパターンサイズを有する光透過領域における焦点深度が最大となるように、該光透過領域近傍の半遮光領域の振幅透過率が設定されていることを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
