特許

J-GLOBAL ID：200903080319993150

半導体装置

発明者： 宮崎 透
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001259
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200905
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 少ない製造工程で形成することができ、かつ放熱特性に優れた半導体装置を提供する。さらに、パワー素子の動作で発生するノイズの回路動作に及ぼす影響を減少させ、回路動作の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 インテリジェントパワーデバイスである半導体装置1において、パワー素子領域21〜24のそれぞれにパワー素子用パッド212,213,222,223,...に加えて集積回路用パッド311〜315,321〜325,...を配設する。また、パワー素子領域21〜24のそれぞれと集積回路用パッド311〜315,321〜325,...のそれぞれとの間にはシールド層が形成される。

請求項（抜粋）：

同一基板上のパワー素子領域及び集積回路領域と、前記パワー素子領域の周囲を取り囲むトレンチ構造体と、前記パワー素子領域内のパワー素子用パッドと、前記パワー素子領域内又は前記トレンチ構造体上の前記パワー素子用パッドと同一配線層の集積回路用パッドと、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

H01L 29/78 656 C ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 27/04 E ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 D

Fターム (14件)：

5F038AZ02 ,  5F038BE07 ,  5F038BH10 ,  5F038BH16 ,  5F038BH19 ,  5F038CA05 ,  5F038CA10 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F044EE02