特許

J-GLOBAL ID：200903080321944417

炭化ケイ素の成膜方法

発明者： 長澤 弘幸 ,  山口 洋一
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178665
公開番号（公開出願番号）：特開平5-001380
出願日： 1991年06月24日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 ホットウォール方式の減圧CVD法において、膜厚、膜質の均質性及び膜表面の平坦性に優れた炭化ケイ素の成膜方法を提供する。【構成】 ホットウォール方式を用いたCVD装置の反応管1内に基板Sを置き、前記反応管1をヒータ2で加熱しつつ排気ポンプ4により減圧して、ガス導入管により前記反応管1内に複数種のガスを導入することにより前記基板S上に炭化ケイ素を成膜する方法において、前記複数種のガスとして少なくともアセチレンガスとジクロロシランガスとを用いて、下記(A)及び(B)の操作を交互に繰り返すことにより前記基板S上に炭化ケイ素を成膜する方法。(A)アセチレンガスを2秒以上導入する。(B)ジクロロシランガスを3〜12秒導入する。

請求項（抜粋）：

反応管とそれを囲むヒータを有し、かつ前記反応管にガスを導入するガス導入管を備えたホットウォール方式を用いたCVD装置の前記反応管内に基板を置き、前記反応管を加熱しつつ、減圧下で、前記ガス導入管により反応管内に複数種のガスを導入することにより前記基板上に炭化ケイ素を成膜する方法において、前記複数種のガスとして少なくともアセチレンガスとジクロロシランガスとを用いて、下記(A)及び(B)の操作を交互に繰り返すことにより前記基板上に炭化ケイ素を成膜することを特徴とする炭化ケイ素の成膜方法。(A)アセチレンガスを2秒以上導入する。(B)ジクロロシランガスを3〜12秒導入する。

IPC (4件)：

C23C 16/32 ,  C01B 31/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-172895
  
• 特開平2-262324
  
• 特開昭63-139096