特許

J-GLOBAL ID：200903080324068065

ITOのドライエッチング方法

発明者： 大八木 茂樹 ,  岡崎 尚登 ,  荻野 誠一
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246099
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097124
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 メタンガスのような炭化水素ガス及び水素ガスを用いるITOのドライエッチングにおいて、炭化水素ガスに起因する炭素系膜の被エッチング物やエッチングチャンバ内面への生成(デポジション)を抑制してエッチングレートを向上させる。【構成】 エッチング用ガスとしてCH4 、H2 及び酸素化合物を含むガスをエッチングチャンバ1内へ導入して該ガスをプラズマ化するとともに該チャンバ内面の温度を80°C〜250°Cの範囲に保ち、該プラズマのもとで該チャンバ内に配置した被エッチング物におけるITOをエッチングする。

請求項（抜粋）：

エッチング用ガスとして炭化水素ガスと、水素ガスと、酸素化合物とを含むガスをエッチングチャンバ内へ導入して該ガスをプラズマ化するとともに該チャンバ内面の温度を80°C〜250°Cの範囲に保ち、該プラズマのもとで該チャンバ内に配置した被エッチング物におけるITOをエッチングすることを特徴とするITOのドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/784