レジンモールド半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-345320
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189857
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】実装時のリフロー耐性が優れ、信頼性に優れたレジンモールド半導体装置を得る。【解決手段】リードフレーム1はダイパット2aとリード部2bとを有し銅または銅合金からなり、表面にはN-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリメトキシシランを含有した表面処理層7が設けられている。ダイパット2aに半導体素子4が接着され、半導体素子4とリード部2bとを導線5で電気的に接続し、レジン3がリードフレーム1と半導体素子4および導線5をモールドする。

請求項（抜粋）：

ダイパッドとこのダイパッドの周囲に向かって延出するリード部とを有し銅または銅合金からなるリードフレーム、上記ダイパッドに接着層を介して設けた半導体素子、この半導体素子と上記リード部とを電気的に接続する導線、並びに上記リードフレームと半導体素子と導線とをモールドしたレジンを備えたレジンモールド半導体装置において、上記リードフレームの表面に、下記一般式(1)または一般式(2) Z-R1-NR3-R2-Si(R4)n-(OR5)3-n ・・・・(1) Z-R6-Si(R7)n-(OR8)3-n ・・・・(2)(式中、nは0から2の任意の整数、Zはアミノ基、イミダゾール基またはそれらから誘導される1価の基、R1、R2およびR6はそれぞれ互いに同一または相異なる2価の置換または非置換の炭化水素基、R3、R4、R5、R7およびR8はそれぞれ互いに同一または相異なる1価の置換または非置換の炭化水素基)で示される化合物を含有した表面処理層を設けたことを特徴とするレジンモールド半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/50 , H01L 21/56 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 23/50 H , H01L 21/56 R , H01L 23/28 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-207158
特開平4-247644
特開昭63-310152

前のページに戻る