特許
J-GLOBAL ID:200903080324445578
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-363112
公開番号(公開出願番号):特開2003-165897
出願日: 2001年11月28日
公開日(公表日): 2003年06月10日
要約:
【要約】【解決手段】 (a)エポキシ樹脂(b)硬化剤(c)ポリカーボネート(d)下記平均組成式(1)で表されるオルガノポリシロキサン R1aR2bSi(OR3)c(OH)dO(4-a-b-c-d)/2 ...(1)(但し、R1はフェニル基、R2は炭素数1〜6の一価炭化水素基又は水素原子、R3は炭素数1〜4の一価炭化水素基を表し、a,b,c,dは、0≦a≦2.0、0≦b≦1.0、0≦c≦2.5、0≦d≦0.35、0.92≦a+b+c+d≦2.8を満足する数である。)(g)無機質充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、難燃性、耐熱性及び信頼性に優れる硬化物を与えることができるものである。
請求項(抜粋):
(a)エポキシ樹脂(b)硬化剤(c)ポリカーボネート(d)下記平均組成式(1)で表されるオルガノポリシロキサン R1aR2bSi(OR3)c(OH)dO(4-a-b-c-d)/2 ...(1)(但し、R1はフェニル基、R2は炭素数1〜6の一価炭化水素基又は水素原子、R3は炭素数1〜4の一価炭化水素基を表し、a,b,c,dは、0≦a≦2.0、0≦b≦1.0、0≦c≦2.5、0≦d≦0.35、0.92≦a+b+c+d≦2.8を満足する数である。)(g)無機質充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (13件):
C08L 63/00
, C08G 59/02
, C08K 3/00
, C08K 3/24
, C08K 3/32
, C08K 5/5399
, C08K 5/5415
, C08L 69/00
, C08L 83/04
, C08L 85/02
, C09K 3/10
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (13件):
C08L 63/00 Z
, C08G 59/02
, C08K 3/00
, C08K 3/24
, C08K 3/32
, C08K 5/5399
, C08K 5/5415
, C08L 69/00
, C08L 83/04
, C08L 85/02
, C09K 3/10 G
, C09K 3/10 L
, H01L 23/30 R
Fターム (67件):
4H017AA04
, 4H017AA20
, 4H017AA24
, 4H017AB08
, 4H017AB15
, 4H017AB17
, 4H017AC14
, 4H017AC16
, 4H017AD06
, 4H017AE05
, 4J002CC042
, 4J002CC052
, 4J002CC062
, 4J002CD021
, 4J002CD031
, 4J002CD041
, 4J002CD051
, 4J002CD061
, 4J002CD071
, 4J002CG013
, 4J002CG023
, 4J002CQ014
, 4J002DE138
, 4J002DE148
, 4J002DE187
, 4J002DF018
, 4J002DJ008
, 4J002DJ018
, 4J002DK008
, 4J002DL008
, 4J002EF057
, 4J002EF107
, 4J002EJ017
, 4J002EN007
, 4J002EW156
, 4J002EX036
, 4J002FA048
, 4J002FA088
, 4J002FB138
, 4J002FB148
, 4J002FB158
, 4J002FD018
, 4J002FD134
, 4J002FD136
, 4J002FD142
, 4J002FD147
, 4J002FD150
, 4J002GQ05
, 4J036AA01
, 4J036AA02
, 4J036AC01
, 4J036AC02
, 4J036AC03
, 4J036AD08
, 4J036AF05
, 4J036AF06
, 4J036AJ08
, 4J036FB08
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EB02
, 4M109EB07
, 4M109EB18
, 4M109EC20
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