特許
J-GLOBAL ID：200903080328395036
半導体装置の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192779
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022313
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 樹脂封止型半導体装置において半導体素子組立体と封止樹脂との密着性を高め、樹脂封止部の剥離の発生を防止することができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体素子16、半導体素子保持部14、リードおよび前記半導体素子の電極と前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤ20を含む半導体素子組立体10の所定の素子領域を絶縁性樹脂によって封止する成形工程を経る。前記半導体素子組立体は、前記成形工程の前に、オゾンよる表面処理を施される。この表面処理は、複数の被処理体である前記半導体素子組立体10をオゾン処理部60に収容した状態で、オゾン発生部40において生成されたオゾンを前記オゾン処理部60に導入し、オゾンと前記被処理体10とを接触させることによって行われる。
請求項（抜粋）：
半導体素子、半導体素子保持部、リードおよび前記半導体素子の電極と前記リードとを電気的に接続する接続部を含む半導体素子組立体の所定の素子領域を絶縁性樹脂によって封止する成形工程を経る半導体装置の製造方法において、前記半導体素子組立体は、前記成形工程の前に、オゾンよる表面処理を施され、前記表面処理は、複数の被処理体である前記半導体素子組立体をオゾン処理部に収容した状態で、オゾン発生部において生成されたオゾンを前記オゾン処理部に導入し、オゾンと前記被処理体とを接触させることによって行われる半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/56
, H01L 21/304 341
H01L 21/56 R
, H01L 21/304 341 D
