放射感知層のパターン化に使用するレチクルおよび放射感知層をパターン化する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202132
公開番号（公開出願番号）：特開平6-289594
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】主要部と移相素子間の反転された位相を有する相互に近接するパターンの移相されたレチクル、およびこのレチクルを製作する方法を提供する。【構成】好適な実施例においては、反転されたレチクルを用いて、狭い間隔で隔てられている接触開口部すなわちバイア開口部23,26のアレイを形成する。レチクル上の第1のパターンに対しては、構造は0度位相であり、その構造を囲む移相リム27は180度位相である。第1のパターンを囲む全てのパターンは0度位相の移相リム27と、180度移相の構造とを有する。このようにして、各パターンは従来の解像力以下の構造をフォトレジスト内に形成できる。更に、2つのパターンの狭い間隔で隔てられている移相リム27を透過した放射は位相が180度異なるから、狭い間隔で隔てられている構造の間の領域は露光されない。

請求項（抜粋）：

入射する放射の少なくとも一部を透過させる第1の領域と、この第1の領域に近接し、入射する放射の少なくとも一部を透過させる第2の領域と、この第2の領域に近接し、入射する放射の少なくとも一部を透過させる第3の領域と、この第3の領域に近接し、入射する放射の少なくとも一部を透過させる第4の領域と、を備え、前記第2の領域を透過した放射は前記第1の領域を透過した放射に対して約160〜200度移相させられ、前記第3の領域を透過した放射は前記第2の領域を透過した放射に対して約160〜200度移相させられ、前記第4の領域を透過した放射は前記第3の領域を透過した放射に対して約160〜200度移相させられる放射感知層のパターン化に使用するレチクル。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-153653
特開平4-153653
特開平3-252659

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