磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-200510
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047583
出願日： 2002年07月09日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】非磁性層を介して一対の磁性層が積層された構造を含む磁気抵抗効果素子(MR素子)において、高温の熱処理プロセスおよびヒートサイクルなどに対応した耐熱性に優れた高出力のMR素子を提供する。また、耐熱性に優れた磁気ヘッドおよび磁気メモリ(MRAM)、ならびに磁気記録装置を提供する。【解決手段】磁性層3の磁化反転磁界を変化させる磁化安定層4をさらに含み、磁化安定層4を構成する材料の結晶粒の平均粒径と、磁化安定層4と非磁性層1との距離を制御することで、耐熱性に優れたMR素子を提供することができる。また、上記MR素子を用いることで、耐熱性に優れた磁気ヘッドおよびMRAM、ならびに磁気記録装置を提供することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非磁性層を介して一対の磁性層が積層された構造を含む多層膜構造が基板上に形成され、双方の前記磁性層が有する磁化方向の相対角度によって抵抗値が異なる磁気抵抗効果素子であって、前記磁性層の磁化反転磁界を変化させる磁化安定層をさらに含み、前記磁化安定層が以下の式に示す関係を満たすことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 1nm≦D<10nm ならびに、 D≧2×HまたはH≧1.4×D ただし、Dは、前記磁化安定層を構成する材料の結晶粒の平均粒径であり、Hは、前記磁化安定層と前記非磁性層との間の距離である。

IPC (7件)：

H01L43/08 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L43/10

FI (8件)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L43/10 , H01L27/10 447

Fターム (20件)：

5D034AA02 , 5D034BA03 , 5D034BB08 , 5D034CA02 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083GA30 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083ZA28

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