特許
J-GLOBAL ID：200903080341181576
超電導トンネル接合デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-555304
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518853
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：
【要約】超電導トンネル接合デバイスであって、超電導領域(S1)の準粒子は、ノーマル・メタル・トラップ(N1)へ弛緩し、そのポテンシャル・エネルギを電子-電子の相互作用において解放し、トラップの中の励起されたチャージ・キャリヤの数を増やすようになっている。その励起されたチャージ・キャリヤは絶縁のトンネル接合障壁(I2)を通って第2の超電導領域(S2)へトンネルする。第1の超電導領域の準粒子は、エネルギの大きい粒子/放射線の吸収によって、あるいはベース領域からトンネルして入ってくるチャージ・キャリヤによる注入によって形成され、ベース領域は、ノーマル・メタル(N0)または超電導体(またはその両方)または半導体であってよい。第2の超電導体に対するトラップからの電流は、ベース領域から出てくる電流より大きく、従って、電流増幅を提供する。従って、このデバイスは、三端子トランジスタに似たデバイスを形成する。それは粒子/放射線検出器として、あるいはその中でアナログ信号増幅器またはマイクロ冷却素子またはデジタル・スイッチとして使うことができる。
請求項（抜粋）：
第1のノーマル領域(N1)と接触している第1の超電導領域(S1)を含んでいる超電導トンネル接合デバイスであって、前記第1のノーマル領域(N1)の中へ弛緩する第1の超電導体領域(S1)からの準粒子のポテンシャル・エネルギーは、前記第1のノーマル領域(N1)のフェルミ・レベル以上に励起されたチャージ・キャリヤの数の増加に変換されるデバイス。
Fターム (9件)：
4M113AB08
, 4M113AB15
, 4M113AC24
, 4M113AC44
, 4M113AC50
, 4M113CA12
, 4M113CA13
, 4M113CA17
, 4M113CA42
