電極と配線との組み合わせ構造およびその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000668
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183059
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】コンタクトホールおよびコンタクトパッドを用いないで、素子形成領域の上で電極と配線との直接接続した構造を得る。【構成】 FETのチャネル領域またはn+ 領域(ソース・ドレイン領域)の上側に電極とその上面に直接接合した配線を具えている。電極自体は、その上面以外は外部と接続する部分を有していない。電極の側面には絶縁膜が形成されている。チャネル領域またはn+ 領域上に電極とキーマスクの積層構造を形成する。次に、この積相構造以外の領域にパッシベーション膜を設けた後、キーマスクを除去して電極の上面を露出させ、その露出面に配線を直接設ける。

請求項（抜粋）：

下地の単一の素子形成領域上に設けられた電極と、該電極と直接接触しかつ外電極以外の部分は絶縁膜上に設けられた配線とを具える、半導体素子の電極と配線との組み合わせ構造において、前記電極と前記配線とを、少なくとも前記素子形成領域上で、コンタクトホールを利用せずして、直接接触してなることを特徴とする電極と配線との組み合わせ構造。

IPC (4件)：

H01L 21/90 , H01L 29/50 , H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭56-116667
特開平1-106469
特開昭57-043418

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