特許

J-GLOBAL ID：200903080344636361

プラズマ処理方法

発明者： 高野 雄一 ,  前田 尚志 ,  岡田 稔 ,  志田 善明 ,  江畑 敏樹
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020318
公開番号（公開出願番号）：特開平8-218175
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：

【要約】【構成】 プラズマ発生室容器11及び/または反応室容器12の内壁が、重量%でFeが0.2%以下、Oが0.3%以下、残部が不可避的不純物及びTiから成る材料により構成された装置内で処理するプラズマ処理方法。【効果】 プラズマ発生室容器11及び/または反応室容器12の内壁がTiCl4 、H2 、Ar系のガスにより腐食され難く、プラズマによりスパッタリングされ難く、またこの内壁中にFe、Cr、Ni、Mn等の汚染物質が含まれないか、含まれていても極めて微量であるため、CVD成膜処理により形成されたTi膜が重金属により汚染され難い。この結果、電気特性に優れた半導体デバイスを製造することができる。

請求項（抜粋）：

TiCl4 、H2 、Ar系またはTiCl4 、H2 、Ar、N2 系のガスを用いたプラズマを利用し、基板上にTi膜またはTiN膜を形成するプラズマ処理方法において、プラズマ発生室及び/または反応室の内壁が、重量%でFeが0.2%以下、Oが0.3%以下、残部が不可避的不純物及びTiから成る材料により構成された装置内で処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/205