特許

J-GLOBAL ID：200903080348776974

III-V族化合物半導体のガスエッチング方法

発明者： 砂川 晴夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-338652
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234968
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体層が2種類以上形成された多層構造基板を表面が平坦でかつ鏡面性よくガスエッチングする。【構成】 (100)面方位の多層構造基板41に<011>方向に沿って開口部を有するマスクを形成し、III族およびV族原料ガスを基板上に供給すると同時に塩化水素を導入する。開口部におけるエッチング速度を1分間当たり0.3μm以下とする。エッチング側壁面には、段差はなく平坦になり、連続して成長した膜も鏡面性の良い表面とする。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体層が2種類以上形成された(100)多層構造基板を選択的にガスエッチングする方法において、前記基板表面に基板の<011>方向に沿った開口部を有するマスク材を形成する工程と、III族およびV族原料ガスを基板上に供給すると同時に塩化水素を導入し前記基板表面の開口部におけるエッチング速度を1分間当たり0.3μm以下とし、前記開口部にエッチング溝を形成する工程とを備えていること特徴とするIII-V族化合物半導体のガスエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00