特許

J-GLOBAL ID：200903080350163530

半導体装置

発明者： 花村 昭宏
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162440
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349251
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】強誘電体容量に抗電界以上の大きな電界を印加して分極を確実に起こさせると共にゲート絶縁膜の破壊を防止し、かつ分極による電荷でもゲート電極に十分大きな電圧を印加できる不揮発性機能を有する半導体装置を提供する。【解決手段】2枚の電極の間に強誘電体が挟まれている強誘電体容量101と電界効果トランジスタ103とから成り、電界効果トランジスタのゲート電極102と強誘電体容量の一方の電極とを接続した半導体装置において、電界効果トランジスタのゲート電極と強誘電体容量の電極との接続点(符号Vgを付した個所)に一方の電極を接続した常誘電体容量100を備えた半導体装置。常誘電体容量C2の値は強誘電体容量C1の値とほぼ同等かそれより大きく、かつ電界効果トランジスタのゲート容量C3よりも十分大きい値に設定する。

請求項（抜粋）：

2枚の電極の間に強誘電体が挟まれている強誘電体容量と電界効果トランジスタとから成り、前記電界効果トランジスタのゲート電極と前記強誘電体容量の一方の電極とを接続した半導体装置において、前記電界効果トランジスタのゲート電極と前記強誘電体容量の電極との接続点に一方の電極を接続した常誘電体容量を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (10件)：

5F001AA17 ,  5F001AD33 ,  5F083FR01 ,  5F083GA12 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43