シリカ被膜形成用塗布液

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-230745
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061045
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：

【要約】【課題】半導体基板等の各種基材に、良好な密着性で下地を良好に平均化する、クラックのない厚膜を形成することが出来、可使時間の長い塗布液を提供する。【解決手段】ハイドロトリアルコキシシランの加酸分解によって得られる下記T0 〜T3 成分を含有する溶液であって、29SiNMRの積分比で、T0 〜T3を構成する全ケイ素の原子数に対するT3 成分のケイ素の原子数が10%以下であることを特徴とするシリカ被膜形成用塗布液。【化1】(式中、Rは、炭素数1から4のアルキル基又は水素原子を示す。)

請求項（抜粋）：

ハイドロトリアルコキシシランの分解によって得られる下記T0 〜T3 成分を含有する溶液であって、29SiNMRの積分比で、T0 〜T3を構成する全ケイ素の原子数に対するT3 成分のケイ素の原子数が10%以下であることを特徴とするシリカ被膜形成用塗布液。【化1】(式中、Rは、炭素数1から4のアルキル基又は水素原子を示す。)

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