特許

J-GLOBAL ID：200903080358810909

マグネトロンプラズマ用磁場発生装置

発明者： 宮田 浩二
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310416
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154597
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 マグネトロンプラズマを利用したスパッタリングやエッチング装置に用いる磁場発生装置に、ダイポールリング磁石を使い、広範囲に均一なプラズマを得ることができる磁場発生装置を安価に提供する。【解決手段】 高密度プラズマを生成するマグネトロン装置に設置して使用されるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、複数の異方性セグメント柱状磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石より成り、該異方性セグメント柱状磁石の磁化方向が、ダイポールリング磁石内部に発生する磁場方向を基準0°としたときに、配置位置が0°±80°と 180°±80°では径方向に磁化した磁石、配置位置が90°±40°と 270°±40°では周方向に磁化した磁石であるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。

請求項（抜粋）：

高密度プラズマを生成するマグネトロン装置に設置して使用されるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、複数の異方性セグメント柱状磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石より成り、該異方性セグメント柱状磁石の磁化方向が、ダイポールリング磁石内部に発生する磁場方向を基準0°としたときに、配置位置が0°±80°と 180°±80°では径方向に磁化した磁石、配置位置が90°±40°と 270°±40°では周方向に磁化した磁石であることを特徴とするマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。