特許
J-GLOBAL ID:200903080363367878

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大菅 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-030530
公開番号(公開出願番号):特開平10-229149
出願日: 1997年02月14日
公開日(公表日): 1998年08月25日
要約:
【要約】【課題】 本発明は非絶縁型で電力用の半導体装置に関し、アルミブロックを使用しない構造でモジュールをヒートシンクに取り付け、装置を小型化すると共に装置のコストダウンが可能な半導体装置を提供するものである。【解決手段】 モジュール21に外部電極22、23を取り付け、モジュール21にヒートシンク24を取り付ける際、アルミブロックを使用することなく両部材をモジュール21に取り付けた半導体装置20である。すなわち、外部電極22、23の取り付けは、不図示の円筒形ターミナルをモジュール21に形成した第1の孔に貫入し、この円筒形ターミナルを介してモジュール21内の電極と外部電極を接続し、ヒートシンク24の取り付けはモジュール21に形成した第2の孔にネジ29を嵌入し、サーマルシート25を介装して締着することで取り付けられている。
請求項(抜粋):
半導体回路が内蔵され、第1の孔と第2の孔が形成された絶縁性材料から成るモジュールケースと、該モジュールケースの第1の孔に貫入する導電部材を介して、前記半導体回路の1つの電極に接続された外部電極と、前記モジュールケースの第2の孔に嵌入する固定部材により、前記モジュールケースに取り付けられた放熱板と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/40 ,  H01L 23/48
FI (2件):
H01L 23/40 Z ,  H01L 23/48 G

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