特許

J-GLOBAL ID：200903080365256968

外部磁場を使用することなく磁化反転を制御するデバイス

発明者： グエン ヴァン ダウ フレデリク ,  クロ ヴァンサン ,  ジョルジュ ジャン-マリー ,  グロリエ ジュリー ,  ジャフレ アンリ ,  ペトロフ フレデリク
出願人/特許権者： タレス
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-522939
公開番号（公開出願番号）：特表2005-501402
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】磁気メモリ素子のような強磁性体システムにおいて、外部磁場を使用することなく、磁化反転を制御するデバイスを提供する。【解決手段】2つの平らな電極間に形成された磁気制御部を有し、該磁気制御部は、第1の電極から順に、第1の強磁性体層と、非磁性体層と、第2の強磁性体層と、第2電極とを有し、該第2の強磁性体層の厚さは、該第1の強磁性体層の厚さ未満であり、該第2の電極の厚さは、前記第2の強磁性体層と制御デバイスにより制御されるシステム間の磁気カップリングを可能にするために十分小さいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

外部磁場を使用することなく、磁化反転を制御するデバイスにおいて、 2つの平らな電極(3,7)間に形成された磁気制御部を有し、 該磁気制御部は、第1の電極から順に、第1の強磁性体層(4)と、非磁性体層(5)と、第2の強磁性体層(6)と、第2電極(7)とを有し、 該第2の強磁性体層の厚さは、該第1の強磁性体層の厚さ未満であり、 前記第2の電極(7)の厚さは、前記第2の強磁性体層と制御デバイスにより制御されるシステム(8,8B)間の磁気カップリングを可能にするほどに十分小さいことを特徴とする制御デバイス。

IPC (3件)：

H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  H01L27/10 447

Fターム (2件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09