特許

J-GLOBAL ID：200903080368831190

Alコンタクト構造およびその製造方法

発明者： 三浦 喜直 ,  廣瀬 和之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038485
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206054
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 LSI技術に用いられているオーミックコンタクト構造の信頼性,単純性,低抵抗を同時に実現する。【構成】 Si(111)基板と、コンタクト金属Alとの間に1原子層の水素が存在し、かつAl層が基板方位を引き継いで強く(111)配向した構造を実現し、Si/Al界面の熱的安定性を大幅に向上した。その結果、高濃度ドープn-タイプSi基板に対するオーミックコンタクトの熱処理後の抵抗値を非常に低減することができ、しかも従来のAlコンタクトより、はるかに信頼性を高めることができた。

請求項（抜粋）：

Si(111)基板を用いたデバイスのオーミックコンタクト構造であって、Si基板とコンタクト金属Alの間に約1原子層の水素が存在し、かつAl層は、基板方位を引き継いで強く(111)配向しているか、或いは完全に配向した単結晶であることを特徴とするAlコンタクト構造。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90