特許
J-GLOBAL ID:200903080370385199

基板上へのマイクロレンズアレイの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三俣 弘文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-054408
公開番号(公開出願番号):特開平6-308302
出願日: 1994年03月01日
公開日(公表日): 1994年11月04日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 光学収差を有さないマイクロレンズのアレイを提供する。【構成】 本発明の基板上へのマイクロレンズアレイの形成方法は、(A)第1の材料製の複数のフォトレジスト要素のアレイ11を第2の材料製のシリカ製基板12の上に形成するステップと、(B)湾曲した上表面を有するように、前記フォトレジスト要素のアレイ11を少なくとも一部溶融し、その後固化するステップと、(C)前記フォトレジスト要素のアレイ11とシリカ製基板12とをガス注入装置を有する反応容器内に配置するステップと、(D)前記複数のフォトレジスト要素のアレイ11とシリカ製基板12とを反応性イオンエッチングを行うステップとからなることを特徴とする基板上へのマイクロレンズアレイの形成方法において、(E)前記Dステップの間、シリカ製基板12に形成されるマイクロレンズの表面の湾曲度を調整し、このマイクロレンズの収差を減少させるために、反応容器内のガスの成分を変化させる。
請求項(抜粋):
(A) 第1の材料製の複数のフォトレジスト要素のアレイ(11)を第2の材料製のシリカ製基板(12)の上に形成するステップと、(B) 湾曲した上表面を有するように、前記フォトレジスト要素のアレイ(11)を少なくとも一部溶融し、その後固化するステップと、(C) 前記フォトレジスト要素のアレイ(11)とシリカ製基板(12)とをガス注入装置(21、22、23)を有する反応容器(17)内に配置するステップと、(D) 前記複数のフォトレジスト要素のアレイ(11)とシリカ製基板(12)とを反応性イオンエッチングを行うステップとからなることを特徴とする基板上へのマイクロレンズアレイの形成方法において(E) 前記(D)ステップの間、シリカ製基板(12)に形成されるマイクロレンズの表面の湾曲度を調整し、このマイクロレンズの収差を減少させるために、反応容器(17)内のガスの成分を変化させることを特徴とする基板上へのマイクロレンズアレイの形成方法。

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