特許

J-GLOBAL ID：200903080370891426

酸化物薄膜の形成方法および酸化物薄膜

発明者： 荒井 真次 ,  久保 光一 ,  山田 修司 ,  神田 基
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057654
公開番号（公開出願番号）：特開平9-249962
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 超小型電池や超薄型電池の正極活物質、さらにエレクトロクロミックデバイスの材料として好適なLi-Ni-O系の酸化物薄膜の形成方法を提供するものである。【解決手段】 α-NaFeO2 型の結晶構造を有するLi-Ni-O系の酸化物薄膜の形成方法であって、少なくともLi、NiおよびOを含む組成のターゲットを用いて酸素雰囲気中でスパッタリングして基板上に前記組成の非晶質酸化物薄膜を堆積した後、この非晶質酸化物薄膜を酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

α-NaFeO2 型の結晶構造を有するLi-Ni-O系の酸化物薄膜の形成方法であって、少なくともLi、NiおよびOを含む組成のターゲットを用いて酸素雰囲気中でスパッタリングして基板上に前記組成の非晶質酸化物薄膜を堆積した後、この非晶質酸化物薄膜を酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする酸化物薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

C23C 14/08 ,  C01G 53/00 ,  G02F 1/15 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40

FI (7件)：

C23C 14/08 K ,  C01G 53/00 A ,  G02F 1/15 ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40 Z