特許
J-GLOBAL ID：200903080371838715
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179518
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029471
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置のモールド樹脂帯電によって生じる静電気破壊に対する耐量を向上させる。【構成】入力端子とボンディング線6を介して接続する電極5直下の層間絶縁膜4に窓8を設けることにより、電極5とシリコン基板1との間の容量を増加させ、急峻なモールド樹脂帯電モードの静電気印加時の破壊耐量を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜上に設けた抵抗体膜と、前記抵抗体膜を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前記抵抗体膜上の前記層間絶縁膜に設けたコンタクト孔と、前記抵抗体膜以外の領域の前記層間絶縁膜に設けた窓と、前記コンタクト孔及び窓を含む表面に設けて前記抵抗体膜と接続し且つ入力端子と電気的に接続した金属電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/06
, H01L 27/04
, H01L 29/784
H01L 27/06 311 B
, H01L 29/78 301 K
