特許

J-GLOBAL ID：200903080372402953

導波路集積型半導体受光素子

発明者： 加藤 和利 ,  秦 進
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180782
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029566
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 受光素子の高速化と高効率化を図った導波路集積型半導体受光素子を提供する。【構成】 半導体基板上に設けられた半導体光導波路23と、該半導体光導波路上に積層された半導体受光素子層24とからなる導波路集積型半導体受光素子において、前記半導体光導波路23の光入力端部と反対側の一端部が鉛直方向から内側へ所望角度傾斜した逆メサ状側面25を有する光反射部を形成してなり、入力端部から入射されて前記半導体光導波路23を伝搬した信号光22を、当該逆メサ状側面25によって上方に反射し、かつ当該逆メサ状側面25を有する光反射部のほぼ上部に積層された半導体受光素子24で吸収する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた半導体光導波路と、該半導体光導波路上に積層された半導体受光素子層とからなる導波路集積型半導体受光素子において、前記半導体光導波路の光入力端部と反対側の一端部が鉛直方向から内側へ所望角度傾斜した逆メサ状側面を有する光反射部を形成してなり、入力端部から入射されて前記半導体光導波路を伝搬した信号光を、当該逆メサ状側面によって上方に反射し、かつ当該逆メサ状側面を有する光反射部のほぼ上部に積層された半導体受光素子層で吸収することを特徴とする導波路集積型半導体受光素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/12 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0232

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/02 C