特許

J-GLOBAL ID：200903080372665440

量子井戸分布帰還型半導体レーザ

発明者： 山崎 裕幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196800
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 多重量子井戸分布帰還型半導体レーザにおいてFM変調効率の増大を図る。【構成】 InGaAs/InGaAsP(波長組成1.3μm)量子井戸活性層1上下のInGaAsP(波長組成1.3μm)光閉じ込め層2に、光閉じ込め層よりも波長組成の短いInGaASPスペーサー層3を挿入し、キャリア走行時間を長くすることにより注入キャリアを増大させ、FM変調効率の増大を図ることができる。

請求項（抜粋）：

量子井戸活性層の上下に量子井戸層よりもエネルギーギャップの大きな光閉じ込め層を有している量子井戸分布帰還型半導体レーザにおいて、前記光閉じ込め層中に、光閉じ込め層よりも波長組成が短い層が挿入されていることを特徴とする量子井戸分布帰還型半導体レーザ。