特許

J-GLOBAL ID：200903080373374651

II-VI族化合物半導体の成長方法

発明者： 石橋 晃 ,  中野 一志 ,  戸田 淳 ,  奥山 浩之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269401
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058043
出願日： 1993年08月16日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 十分に高濃度の窒素を不純物として含む低抵抗のp型のII-VI族化合物半導体を高い生産性で成長させる。【構成】 MOCVD法により、n型ZnSeバッファ層2、n型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSe光導波層4、活性層5、p型ZnSe光導波層6、p型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7、p型ZnSvSe1-v 層8およびp型ZnSeコンタクト層9を順次エピタキシャル成長させた後に、成長温度以上650°C以下の温度で熱処理を行うか、650°C以下の温度でこれらの層に電界を印加することにより、エピタキシャル成長の際にこれらの層中に取り込まれた水素を除去する。

請求項（抜粋）：

成長を行うべきII-VI族化合物半導体を構成するII族元素を少なくとも含む有機化合物および/または上記II-VI族化合物半導体を構成するVI族元素を含む化合物と窒素を含む化合物とを用いてII-VI族化合物半導体の気相成長を行い、その後、上記II-VI族化合物半導体の成長温度以上650°C以下の温度で上記II-VI族化合物半導体の熱処理を行うかまたは650°C以下の温度で上記II-VI族化合物半導体に電界を印加することにより、上記気相成長の際に上記II-VI族化合物半導体中に取り込まれた水素を除去するようにしたII-VI族化合物半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/36