特許

J-GLOBAL ID：200903080383668424

窒化ガリウムの結晶成長方法

発明者： 木村 明隆 ,  砂川 晴夫 ,  仁道 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065644
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255496
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【目的】 GaAs基板上に表面の平坦なGaN層を結晶成長させ得るようにして、導電性がありかつ劈開が可能な基板上に良質なGaN層を形成しうるようにする。【構成】 GaAs基板101に対し、V族元素を含む原料を供給することなく600〜700°Cで熱処理を行って基板表面にGa過剰面104を形成する。窒素(キャリアガス)、塩化ガリウム、アンモニアを供給し、始めに低温でGaN低温成長バッファ層105を、次いで高温でGaN高温成長層106を形成する。

請求項（抜粋）：

(1)砒化ガリウム基板を成長炉にロードし、砒素を含むV族原料を供給することなく600°C以上700°C以下に加熱する工程と、(2)キャリアガスとともにガリウムを含む原料と窒素を含む原料とを供給して砒化ガリウム基板上に窒化ガリウム層を結晶成長させる工程と、を含むことを特徴とする窒化ガリウムの結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-187598
  
• 化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063238   出願人：三菱電線工業株式会社