特許
J-GLOBAL ID：200903080384791548

光検出器内蔵表示装置及び電子機器

発明者：
江口 司

江口 司 について

, 
神田 栄二

神田 栄二 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155980
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311331
出願日： 2007年06月13日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】製造工程の簡略化及び光センサ素子の設計の自由度の向上が可能となる光検出器内蔵表示装置及び電子機器を提供する。【解決手段】光検出器内蔵表示装置2は、平面状に配置された複数の画素領域と、光を検出する光検出領域と、を有する光検出器内蔵表示装置であって、画素領域のそれぞれに設けられて画素領域の駆動をスイッチング制御する第1スイッチング素子と、第1スイッチング素子と同一層上に形成され、光検出領域に設けられた光センサ素子22で光電変換された電流を増幅する第2スイッチング素子26と、を含み、光センサ素子22に接続されるセンサ用電極78は、第2スイッチング素子26に接続されるスイッチング用電極82と同一層上に形成され、光センサ素子22に接続される他のセンサ用電極76は、第2スイッチング素子26に設けられた他のスイッチング用電極72と同一層上に形成されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
平面状に配置された複数の画素領域と、光を検出する光検出領域と、を有する光検出器内蔵表示装置であって、 前記画素領域のそれぞれに設けられて前記画素領域の駆動をスイッチング制御する第1スイッチング素子と、 前記第1スイッチング素子と同一層上に形成され、前記光検出領域に設けられた光センサ素子で光電変換された電流を増幅する第2スイッチング素子と、 を含み、 前記光センサ素子に接続されるセンサ用電極は、前記第2スイッチング素子に接続されるスイッチング用電極と同一層上に形成され、 前記光センサ素子に接続される他のセンサ用電極は、前記第2スイッチング素子に設けられた他のスイッチング用電極と同一層上に形成されていることを特徴とする光検出器内蔵表示装置。
IPC (6件)：
H01L 31/10 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133 ,  H01L 27/146 ,  G02F 1/134 ,  G06F 3/041
FI (9件)：
H01L31/10 A ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1335 ,  H01L27/14 C ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1335 500 ,  G06F3/041 320A ,  G06F3/041 330E ,  G02F1/1333
Fターム (57件)：
2H089HA15 ,  2H089QA16 ,  2H089TA07 ,  2H089TA09 ,  2H089TA13 ,  2H089TA16 ,  2H089UA09 ,  2H091FA48Y ,  2H091GA13 ,  2H091LA30 ,  2H092JA24 ,  2H092JB42 ,  2H092KA05 ,  2H092NA25 ,  2H092PA07 ,  2H092RA10 ,  2H189AA14 ,  2H189HA16 ,  2H189LA08 ,  2H189LA10 ,  2H189LA15 ,  2H189LA18 ,  2H189MA15 ,  2H191FA91Y ,  2H191GA19 ,  2H191LA40 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118HA25 ,  4M118HA26 ,  4M118HA27 ,  5B087AA02 ,  5B087AE03 ,  5B087AE09 ,  5B087CC02 ,  5B087CC13 ,  5B087CC16 ,  5B087CC20 ,  5B087CC33 ,  5F049MA04 ,  5F049MB05 ,  5F049NB10 ,  5F049UA20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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