特許
J-GLOBAL ID：200903080385167104
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137134
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350200
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 P型II-VI族半導体膜と電極との間において、小さな電圧で必要な電流が流れるようにして、電力消費及び温度特性の改善を図る。【構成】 基板温度350°C以下で半導体N型層8、活性層5、半導体P型層9の順序でMBE成長したZnCdSSe系のII-VI族半導体膜2をN型GaAs基板1上に形成した後、II-VI族半導体膜2の成長時における基板温度以下の基板温度下で、前記半導体P型層9上に1019/cm3 以上のキャリア濃度を有するP型GaAs膜10とP型InGaAs膜11とをその順序でMBE成長し、さらにその上に電極12を形成することにより、エネルギバンドのレベルが電極12からII-VI族半導体膜2へ順次段階的に高くなるように構成し、電流のエネルギー障壁の高さに対して指数関数的に減少するという特性を利用して電圧/電流特性を改善したもの。
請求項（抜粋）：
半導体N型層、活性層、半導体P型層がその順序で積層状に配された半導体膜をGaAs基板上に形成した半導体発光装置において、前記半導体膜を、前記GaAs基板上にMBE成長したZnCdSSe系またはMgZnCdSSe系のII-VI族半導体により形成し、このII-VI族半導体膜最上層の半導体P型層上に、MBE成長させてなるP型GaAs膜とP型InGaAs膜とをその順序で積層状に形成し、さらに前記P型InGaAs膜上に電極を形成したことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/363
, H01L 33/00
