特許
J-GLOBAL ID：200903080385905830
光検出器及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080877
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296035
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 光結合係数を向上させ、受光感度を向上させた、高性能な半導体電子デバイスを用いた光検出器及びその製造方法を提供する。【構成】 電極が半導体基板10の一方の面側のみとなるように形成されたMESFET20からなる光検出器において、半導体基板10のMESFET20に対応する部分に、該半導体基板10の他方の面側からMESFET20の下部に達する光導入用窓30を設けたことにより、MESFET20に入射させる光を、光導入用窓30を通して電極のない面側から入射させることが可能となり、光を有効に入射させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
電極が半導体基板の一方の面側のみとなるように形成された半導体電子デバイスからなる光検出器において、半導体基板の半導体電子デバイスに対応する部分に、該半導体基板の他方の面側から半導体電子デバイスの下部に達する光導入用窓を設けたことを特徴とする光検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 E
, H01L 27/14 A
