特許
J-GLOBAL ID：200903080386985510
絶縁材料、層間絶縁膜および層間絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127656
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321217
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 高耐熱性を有しかつ低誘電率の絶縁材料、層間絶縁膜および層間絶縁膜の形成方法を提供すること。【構成】 本発明の絶縁材料は、分子内の芳香環に結合している水素の少なくとも1個がフッ素原子で置換されたケイ素フタロシアニン、分子内の芳香環に結合している水素の少なくとも1個がフッ素原子で置換された無金属フタロシアニン、分子内の芳香環に結合している水素の少なくとも1個がフッ素原子で置換されたケイ素ナフタロシアニン、および分子内の芳香環に結合している水素の少なくとも1個がフッ素原子で置換された無金属ナフタロシアニンのうちの少なくとも1種を主成分とするものである。また本発明の層間絶縁膜はこの絶縁材料からなるものであり、本発明の層間絶縁膜の形成方法では上記絶縁材料をプラズマ重合させて層間絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
分子内の芳香環に結合している水素の少なくとも1個がフッ素原子で置換されたケイ素フタロシアニンまたは無金属フタロシアニンと、分子内の芳香環に結合している水素の少なくとも1個がフッ素原子で置換されたケイ素ナフタロシアニンまたは無金属ナフタロシアニンとのうちの少なくとも1種を主成分とすることを特徴とする絶縁材料。
IPC (3件)：
H01B 3/24
, C08L 83/00 LRM
, H01L 21/31
H01B 3/24 A
, C08L 83/00 LRM
, H01L 21/31
