半導体搭載用回路基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312428
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164090
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】大電流、高密度実装用の高い精度の導電回路を有する半導体搭載用回路基板を提供する。【構成】金属基板に絶縁層を介してアルミニウムー銅接合箔を積層してなる回路基板において、前記接合箔によって形成された回路の厚さが 100μm以上であり、かつ厚さに対する回路の幅の比が1〜5であることを特徴する半導体搭載用回路基板である。そしてその製造方法は前記接合箔をエッチングして回路を形成する際に、この接合箔を構成する箔のうち絶縁層と接する反対側の箔をレジストとしてエッチングすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

金属基板に絶縁層を介してアルミニウム-銅接合箔を積層してなる回路基板において、前記接合箔によって形成された回路の厚さが 100μm以上であり、かつ厚さに対する回路の幅の比が1〜5であることを特徴とする半導体搭載用回路基板。

IPC (5件)：

H05K 1/09 , H01L 23/12 , H05K 1/05 , H05K 3/06 , H05K 3/44

FI (2件)：

H01L 23/12 Q , H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平2-128837

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