特許
J-GLOBAL ID：200903080393163908
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179357
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029331
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 耐熱性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することにある。【構成】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタにβ-SiC層から成るベース領域とα-SiC層から成るエミッタ領域を有する。
請求項（抜粋）：
β-SiC層から成るベース領域とα-SiC層から成るエミッタ領域とを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/167
