特許

J-GLOBAL ID：200903080397810460

パターン形成方法及び露光装置

発明者： 福田 宏 ,  寺澤 恒男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122484
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333800
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】光リソグラフィの解像度を向上させる。【構成】マスク1上のパターンを基板5上に投影露光する際、複数の微小な光スポット(第1の点像6)をマスク3上でくまなく走査し、マスク透過部を透過したスポット光のみを第2の投影光学系4を用いて基板5上に投影して第2の光スポット(第2の点像8)を形成し、これを基板5上に形成した光強度に対して非線形な感度応答特性を有する感光性材料を用いてパターン形成を行う。【効果】スループットを極端に低下させることなく、比較的容易な装置構成を用いて、波長と開口数で決定される従来の光リソグラフィの解像限界を越えた微細パターンを形成することができる。

請求項（抜粋）：

マスク上のパターンを基板上に投影露光する方法であって、第1の投影光学系を用いて前記マスク上にマスクの最小パターン寸法以下の大きさの第1の点像を形成すると共に、前記第1の点像で上記マスク上を走査する段階と、マスク透過部を通過した前記第1の点像を第2の投影光学系を用いて前記基板上に投影して第2の点像を形成する段階と、前記第2の点像を用いて前記基板上に形成された感光性材料を感光させる段階とを有して成るパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03B 27/32 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 321