特許

J-GLOBAL ID：200903080405998695

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

発明者： 廣兼 大介
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010472
公開番号（公開出願番号）：特開2003-212958
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】 充填性、連続成形性、耐半田性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 (A)ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に50〜100重量%、(B)ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂を全フェノール樹脂中に50〜100重量%、(C)結晶融解熱量3(J/g)以下のトリフェニルホスフィンとベンゾキノンの付加物、(D)無機質充填材を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。

請求項（抜粋）：

(A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に50〜100重量%、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂を全フェノール樹脂中に50〜100重量%、(C)結晶融解熱量3(J/g)以下の一般式(3)で示される化合物、(D)無機質充填材を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(Rは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい、nは、平均値で1〜3の正数)【化2】(Rは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。nは、平均値で1〜3の正数)【化3】

IPC (4件)：

C08G 59/20 ,  C08G 59/68 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

C08G 59/20 ,  C08G 59/68 ,  H01L 23/30 R

Fターム (34件)：

4J036AA05 ,  4J036AB03 ,  4J036AB07 ,  4J036AB16 ,  4J036AC01 ,  4J036AC03 ,  4J036AD08 ,  4J036AD10 ,  4J036AE05 ,  4J036AF05 ,  4J036AF06 ,  4J036AF08 ,  4J036AF09 ,  4J036AF19 ,  4J036DB05 ,  4J036DC05 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036DD07 ,  4J036FA03 ,  4J036FA05 ,  4J036FA10 ,  4J036FB02 ,  4J036FB06 ,  4J036FB08 ,  4J036FB16 ,  4J036FB20 ,  4J036GA04 ,  4J036JA07 ,  4J036KA06 ,  4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EB04 ,  4M109EC20