特許

J-GLOBAL ID：200903080408196298

半導体製造装置

発明者： 駒 保宏 ,  矢野 貴司 ,  浦田 由紀子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069493
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270418
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 装置内の異物を効率よく除去し、ウェハの歩留りと稼動率の向上が図られる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 ドライエッチング装置1は、反応室3内に所定のガスを吹き出すためのガスヘッド6、反応室内にプラズマを形成するための高周波電源8を備えている。ガスヘッド6は、一方の開孔端において最大開孔径を有する噴出孔6aを複数備えている。

請求項（抜粋）：

基板を収容するとともに、前記基板に所定の処理を施すための反応室と、前記反応室内に設けられ、所定のガスを前記基板へ向かって噴き出すための複数の噴出孔が形成されたガスヘッド部と、前記反応室内にプラズマを形成するためのプラズマ形成手段とを備え、各前記噴出孔は、少なくとも一方の開孔端において最大開孔径を有し、内部または他方の開孔端において開孔径が縮小されている、半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-316325
  
• 特開平4-316325