特許
J-GLOBAL ID：200903080408465957
ハイブリッドIC
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282751
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132473
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 モールド前の回路の調整・検査を可能にすると共に、十分な放熱性と低コスト化とを両立させる。【構成】 金属基板31の上面に絶縁膜を介して複数本のリード32と配線パターン33を導体パターンにより形成する。この金属基板31上には、パワーIC34等の回路素子を実装して、この回路素子をワイヤボンディング又は導電性接着剤により配線パターン33に接続する。この素子実装後に、リード32に通電して回路の調整・検査を行った後、金属基板31のうちの各種回路素子が実装された回路部31aをモールド樹脂38によりモールドし、リード32が形成されたターミナル部31bをモールド樹脂38から突出させる。この場合、金属基板31が放熱板としても機能するようになり、従来の放熱対策部品である放熱体やセラミック基板が不要となる。
請求項（抜粋）：
金属基板に回路素子を実装してこれらをモールド樹脂でモールドすると共に、前記金属基板の一部に導体パターンでリードを形成して、このリード形成部分を前記モールド樹脂から突出させて構成したハイブリッドIC。
IPC (2件)：
引用特許：
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