特許

J-GLOBAL ID：200903080410875895

ダイオードおよびその製造方法

発明者： パオラ・ガルビアティ ,  ウバルド・マストマッテオ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131903
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326773
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 BCD技術を用いて半導体材料上に集積化され、第2の導電型の記憶領域(8)の内側の第1の導電型のバルク(2)に設けられる型のダイオードを得る。【構成】 ダイオードは、アノード機能を有する第1の導電型の埋設領域(4)および第2の導電型のカソード領域(12)を備える。カソード領域(12)は埋設領域4の上に配置されたエピタキシャル層(6)と、このエピタキシャル層(6)の内側に設けられた高ドーピング領域(11)とを有する。埋設領域(4)は高ドーピング領域(11)の配置に対向したくぼみ(5)を備え、この埋設領域4の個別でかつ隣接する部分の横方向拡散の交差により達成される。

請求項（抜粋）：

BCD技術を用いて半導体材料上に集積化され、第2の導電型の記憶領域(8)の内側の第1の導電型のバルク(2)に設けられる型で、かつ第1の導電型の埋設領域(4)および第2の導電型のカソード領域(12)を備えたダイオードであって、上記カソード領域(12)が上記埋設領域(4)の上に配置されたエピタキシャル層(6)と該エピタキシャル層(6)の内側に設けられた高ドーピング領域(11)とを有するものにおいて、上記埋設領域(4)が上記高ドーピング領域(11)に対向して配置されたくぼみ(5)を備えたことを特徴とするダイオード。

FI (2件)：

H01L 29/91 L ,  H01L 29/91 C