特許
J-GLOBAL ID：200903080414043649
半導体装置、そのリフレッシュ方法、メモリシステムおよび電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234261
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050176
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 VSRAMのような半導体装置のリフレッシュ方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置1は、メモリセルアレイ20が四つのブロック、すなわち、ブロック(0)22A、ブロック(1)22B、ブロック(2)22C、ブロック(3)22Dに分割されている。半導体装置1の外部で発生する外部クロック信号にもとづき、あるブロック22における外部アクセスと、残り全ての他のブロック22におけるリフレッシュと、を同期させる。
請求項（抜粋）：
複数のブロックに分割されたメモリセルアレイを有する半導体装置のリフレッシュ方法であって、前記半導体装置の外部で発生するクロック信号である外部クロック信号にもとづいて、少なくとも一つの前記ブロックにおける外部アクセスと、少なくとも一つの他の前記ブロックにおけるリフレッシュと、を行う、外部アクセス-リフレッシュステップを備える、半導体装置のリフレッシュ方法。
IPC (2件)：
G11C 11/406
, G11C 11/403
G11C 11/34 363 K
, G11C 11/34 371 J
5B024AA15
, 5B024BA20
, 5B024BA21
, 5B024BA23
, 5B024CA11
, 5B024CA16
, 5B024DA08
, 5B024DA10
, 5B024DA16
