特許
J-GLOBAL ID：200903080417907474
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001480
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204173
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】表面に金属シリサイド層が形成された拡散層を有する半導体装置において、高集積化,高速化に適した製造方法を提供する。【構成】p+ 層106b表面にチタンシリサイト層107が形成され、層間絶縁膜108が形成された後、コンタクトホール109が形成される。コンタクトホール109をマスクにしてボロンイオン注入層116aが形成され、全面にチタン膜110aが形成される。窒素ガス中での熱処理により、チタン膜110aの表面が窒化チタン膜110bになり、ボロンイオン注入層116aがp+ 層116bになる。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板表面に逆導電型の拡散層を形成し、前記拡散層表面の所定の領域に金属シリサイド層を形成する工程と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記拡散層に達するコンタクトホールを前記層間絶縁膜に形成する工程と、前記コンタクトホールをマスクにしたイオン注入により前記半導体基板表面に逆導電型のイオン注入層を形成した後、全面に高融点金属膜を形成し、さらに前記イオン注入層を活性化する熱処理を行なう工程と、全面に配線用金属膜を形成し、前記高融点金属膜をパターニングして金属配線を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
, H01L 21/336
, H01L 29/784
