特許

J-GLOBAL ID：200903080424617694

MgTiO3 薄膜を備えたFRAM素子及びFFRAM素子並びにその製造方法

発明者： 黄 哲盛 ,  李 春浩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293619
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135420
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 MgTiO3 薄膜を備えたFRAM素子及びFFRAM素子並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 誘電膜としてPZT膜84を備えたキャパシターと、前記キャパシターの上部に形成され、その内部にSiを含む絶縁膜と、前記PZT膜84と前記絶縁膜との間に形成されたMgTiO3 膜88とを含むことにより、FRAM素子の拡散障壁層は優れた拡散防止効果を有し、FFRAM素子のバッファー層は優れた拡散障壁特性と誘電率を有する。

請求項（抜粋）：

誘電膜としてPZT膜を備えたキャパシターと、前記キャパシターの上部に形成され、その内部にSiを含む絶縁膜と、前記PZT膜と前記絶縁膜との間に形成されたMgTiO3 膜とを含んで構成されたことを特徴とするFRAM素子。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371