特許
J-GLOBAL ID：200903080424617694
MgTiO3 薄膜を備えたFRAM素子及びFFRAM素子並びにその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293619
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135420
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 MgTiO3 薄膜を備えたFRAM素子及びFFRAM素子並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 誘電膜としてPZT膜84を備えたキャパシターと、前記キャパシターの上部に形成され、その内部にSiを含む絶縁膜と、前記PZT膜84と前記絶縁膜との間に形成されたMgTiO3 膜88とを含むことにより、FRAM素子の拡散障壁層は優れた拡散防止効果を有し、FFRAM素子のバッファー層は優れた拡散障壁特性と誘電率を有する。
請求項（抜粋）：
誘電膜としてPZT膜を備えたキャパシターと、前記キャパシターの上部に形成され、その内部にSiを含む絶縁膜と、前記PZT膜と前記絶縁膜との間に形成されたMgTiO3 膜とを含んで構成されたことを特徴とするFRAM素子。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
