特許

J-GLOBAL ID：200903080428976338

半導体装置の製造方法

発明者： 石田 浩 ,  清水 昭博 ,  大木 長斗司 ,  山中 俊明 ,  長野 隆洋
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163494
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032054
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 しきい値の制御性に優れ、短チャネル効果を抑制すると共に、ゲート酸化膜の信頼性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 n導電型のシリコン基板11上にゲート酸化膜13を形成した後、このゲート酸化膜13上に非晶質シリコン膜14を形成し、続いて、ゲート酸化膜13及び非晶質シリコン膜14を通じてn導電型のシリコン基板11に硼素のイオン打ち込みを行って、しきい値調整用のp導電型のチャネル領域15を形成する。次に、非晶質シリコン膜14上に多結晶シリコン膜16を形成した後、この多結晶シリコン膜16及び非晶質シリコン膜14の不要部分を除去し、続いて残っている多結晶シリコン膜16及び非晶質シリコン質15をマスクとしてn導電型のシリコン基板11に硼素のイオン打ち込みを行って、p導電型のチャネル領域15の両端に接するようにp導電型のソース領域17及びドレイン領域18を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1導電型の半導体領域に第2導電型の半導体領域を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、上記第1導電型の半導体領域上に絶縁膜を形成した後、この絶縁膜上に半導体膜あるいは導体膜からなる非晶質膜を形成し、続いて上記絶縁膜及び非晶質膜を通じて上記第1導電型の半導体領域に第2導電型の不純物のイオン打ち込みを行って第2導電型の半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336