特許
J-GLOBAL ID：200903080429048183
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-073822
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291178
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 1回のエッチング工程で深いトレンチと浅いトレンチを同時に形成し、1回の堆積工程でそれらのトレンチを同時に埋込むことにより、分離領域を簡単な工程で形成し、半導体装置の高集積化および製造歩留りを向上させる。【構成】 半導体基体10の表面に絶縁膜13を形成し、その絶縁膜にそれぞれ幅の異なる複数の開口部を設け、半導体基体10をエッチングして開口部の幅に応じてそれぞれ異なる深さを有する複数の溝18,19を形成し、さらに複数の溝に誘電体15を埋込んで絶縁分離領域を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基体の表面に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜にそれぞれ幅の異なる複数の開口部を設ける工程、前記半導体基体をエッチングして前記開口部の幅に応じてそれぞれ異なる深さを有する複数の溝を形成する工程、および該複数の溝に誘電体を埋込んで絶縁分離領域を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
