特許
J-GLOBAL ID：200903080430278460
光電変換素子およびその製造方法ならびに整流素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-023331
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210846
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 機械的強度および得られる光起電力が大きく、光電変換特性の安定性が高く、しかも線状等の立体構造の実現が容易な、Cu2 Oを用いた光電変換素子を実現する。また、機械的強度が大きく、整流特性の安定性が高い、Cu2Oを用いた整流素子を実現する。【解決手段】 第1の電極としてのCu板1の両主面に部分酸化によりCu2O層2a、2bを形成した後、それらの上にそれぞれ金属薄膜3a、3bを成膜して第2の電極とし、面状の光電変換素子を構成する。あるいは、第1の電極としてのCu線の外周面に部分酸化によりCu2 O層を形成した後、その外周面に金属薄膜を成膜して第2の電極とし、線状の光電変換素子を構成する。金属薄膜としては、Crなどの高融点金属の薄膜を用いる。Cu板1またはCu線を酸化する際には、300°Cから750°Cまでの昇温中および750°Cから300°Cまでの降温中の雰囲気を不活性ガスまたは真空とする。
請求項（抜粋）：
銅からなる第1の電極と、上記第1の電極と接触して設けられた亜酸化銅層と、上記亜酸化銅層を介して上記第1の電極と対向するように上記亜酸化銅層にショットキー接触して設けられた第2の電極とを有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 31/04 H
, H01L 29/48 M
, H01L 29/48 D
, H01L 31/04 M
4M104AA03
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD51
, 4M104FF01
, 4M104GG05
, 5F051AA07
, 5F051CB29
, 5F051DA06
