特許
J-GLOBAL ID:200903080430674594

薄膜コンデンサの形成法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 千田 稔 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-333500
公開番号(公開出願番号):特開2000-164460
出願日: 1999年11月24日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 薄膜コンデンサの形成法を提供する。【解決手段】 金属ホイルおよびその上の約0.03〜約2ミクロンの厚さを有する誘電体を含む薄層コンデンサのための層構造物が開示される。
請求項(抜粋):
金属ホイルおよびその上の約0.03〜約2ミクロンの厚さを有する誘電体を含む薄層コンデンサのための層構造物。
引用特許:
審査官引用 (11件)
  • 微小電子回路構造とその製法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-060932   出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
  • 特開平2-309615
  • 特開平2-121315
全件表示

前のページに戻る