特許
J-GLOBAL ID：200903080430749101
化合物半導体装置及びその製造方法及びその実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264525
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120294
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 チップサイズを小さくしても面積利用効率の低下しない化合物半導体集積回路及びその製造方法・実装方法を提供すること。【構成】 スクライブライン上に貫通口を形成し、その内壁に導電膜を堆積した後切断することによって、化合物半導体ICのボンディング電極パッドをチップ側面に形成する。【効果】 絶対面積の必要なボンディング電極パッドをチップ側面に形成するために、チップサイズを小さくした時にも面積利用効率が減少しにくい。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に形成された集積回路において、前記集積回路は集積回路と外部をつなぐボンディング電極パット有し、前記電極パッドの一部あるいは全部が、前記化合物半導体基板の側面に形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
