特許

J-GLOBAL ID：200903080437491886

パタン形成方法

発明者： 長谷川 昇雄 ,  早野 勝也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045510
出願日： 1993年08月03日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【構成】レジストパタン形成後、樹脂4を全面に塗布した後、熱処理によりレジスト2を流動させ、パタンを微細化する。【効果】樹脂塗布後にレジストの熱流動を起こさせるため、流動のしすぎが防止でき、寸法の安定化が図れる。微細化の困難な超LSIの電極取り出し用の穴パタンの微細化が実現できる。

請求項（抜粋）：

基板上にレジストパタンを形成する工程と、全面に或いは一部分に前記レジストに混じらない樹脂を形成する工程と、熱処理工程と、前記レジストに混じらない樹脂を除去する工程とを含むことを特徴とするパタン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 501

FI (2件)：

H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 568

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-023535
  
• 特開平1-307228