特許

J-GLOBAL ID：200903080438257240

結晶成長装置及び結晶成長方法

発明者： 丸山 研二
出願人/特許権者： 通信・放送機構 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-067043
公開番号（公開出願番号）：特開2001-253790
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月18日
要約：

【要約】【課題】 転位の少ない単結晶を比較的短時間で成長させることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。【解決手段】 原料部材14と前記原料部材の周囲を覆う被覆層16とが密閉された容器10を加熱して結晶を成長させる結晶成長装置において、前記容器10の局所領域を加熱するため前記容器の周囲を囲んで配置され、発生熱量/表面積が40W/cm2 以上であり、かつ、1000°C以上の前記局所領域の幅が20mm以下にすることが可能で、かつ、前記局所領域から前記局所領域の下側の領域までの領域において温度勾配を50°C/cm以上にすることが可能で、かつ、大気中で稼動可能な第1のヒーター22を有する。

請求項（抜粋）：

原料部材と前記原料部材の周囲を覆い前記原料部材より融点が低い被覆層とが密閉された容器を加熱して結晶を成長させる結晶成長装置において、前記容器の局所領域を加熱するため前記容器の周囲を囲んで配置され、大気中で稼動可能な第1のヒーターと、前記第1のヒーターの上側及び下側に配置され、前記第1のヒーターで加熱される前記容器の局所領域より上側及び下側の領域を加熱するための第2のヒーターとを有することを特徴とする結晶成長装置。

Fターム (4件)：

4G077AA02 ,  4G077BE34 ,  4G077CE02 ,  4G077EG18