特許
J-GLOBAL ID：200903080441923391
バンプ接合用配線板、該配線板により組み立てられた半導体装置およびバンプ接合用配線板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082761
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 バンプと配線間での断線の発生を防止でき、バンプの高さのばらつきが小さく、かつ生産性に優れたバンプ接合用配線板、該配線板により組み立てられた半導体装置およびバンプ接合用配線板の製造方法を提供する。【解決手段】 その一表面に導電層が設けられた絶縁層を用いてバンプ接合用配線板を製造するに際し、まず導電層の一表面に第1のレジスト層を設け、露光、現像し、バンプ形成部位以外の部分の第1のレジスト層を除去し、導電層をハーフエッチングしてバンプを形成し、ついで必要に応じて第1のレジスト層を除去した後、第2のレジスト層を設けて露光、現像し、露出した導電層をエッチングして配線パターンを形成する。その後必要に応じて配線パターン上のレジスト層除去した後に配線パターン側全面に保護レジスト層を設け、露光、現像してバンプ表面を露出させ、保護レジスト層を硬化させる。そして絶縁層側の表面より該絶縁層の所望部にエッチングによりビアホールを形成し、ついで露出したビアホールの底面とバンプの表面とにメッキを施す。
請求項（抜粋）：
絶縁層と、該絶縁層の一表面側に設けられ所望部に一体のバンプを有する配線層と、該バンプの表面を露出せしめて前記絶縁層の一表面に設けられた保護レジスト層とからなり、前記絶縁層の他の表面側にビアホールを設けてなることを特徴とするバンプ接合用配線板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 F
, H05K 3/24 D
