特許
J-GLOBAL ID：200903080442481813
固体レーザー結晶薄膜作成方法および固体レーザー結晶薄膜作成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-226084
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：
【要約】【目的】薄膜結晶の作成であるならば、原子オーダーで材料ならびに膜厚を制御できるCVD法などの半導体製造プロセス的手法を用いることができることに着目し、従来の技術とは全く異なる半導体製造プロセス的手法を用いることにより、固体レーザー結晶薄膜を作成する。【構成】高真空中の容器の中で基板を加熱し、レーザー母材を形成する材料を、ガス、金属単体あるいはイオンもしくは金属化合物として上記基板表面に供給して、上記基板表面で結晶成長させ、活性イオン種材料を上記金属単体あるいはイオンもしくは金属化合物の供給と同時に上記基板表面に供給して、活性イオン種材料の価数を、レーザー母材の結晶を構成する金属イオンの価数と同じに制御する。
請求項（抜粋）：
高真空中の容器の中で基板を加熱し、レーザー母材を形成する材料を、ガス、イオン、金属単体もしくは金属化合物として前記基板表面に供給して、前記基板表面で結晶成長させ、活性イオン種材料を前記金属単体もしくは金属化合物の供給と同時に前記基板表面に供給して、活性イオン種材料の価数を前記レーザー母材の結晶を構成する金属イオンの価数と同じに制御することを特徴とする固体レーザー結晶薄膜作成方法。
IPC (8件)：
B01J 19/00
, B01J 19/08
, C23C 14/00
, C23C 14/24
, C30B 25/02
, C30B 25/16
, H01S 3/16
, H01S 3/18
