液晶表示装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292174
公開番号（公開出願番号）：特開2000-122088
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】画素および周辺回路のTFTの移動度を確保しつつ補助容量部に用いる多結晶シリコン膜の表面の突起高さを20nm以下に低減して高性能の液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 TFT部分と補助容量部分とで、シリコン膜厚を異なるようにし、あるいはキャップ層を選択的に設けることよって、レーザの実質的な照射量を独立に調節することにより、周辺駆動回路のTFT特性を損なわずに、補助容量部のシリコン膜の突起を抑制し、リークや点欠陥を低減することができる。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタと、補助容量部と、を備えた液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタと前記補助容量部のそれぞれは、多結晶シリコン層を有し、前記補助容量部が有する前記多結晶シリコン層の表面に形成された突起は、前記薄膜トランジスタが有する前記多結晶シリコン層の表面に形成された突起よりも低いことを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 618 Z

Fターム (30件)：

2H092GA16 , 2H092JA24 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA30 , 2H092NA16 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 5F110AA06 , 5F110AA13 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110GG58 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (2件)

アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-076242 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-344297 出願人：株式会社東芝

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